Piastrelle di Carburo di Silicio Bonded Reaction
Vantaghji di Reaction Bonded Silicon Carbide
1) Bassa densità.
2) Resistenza à a corrosione.
3) Resistenza à l'usura.
4) Resistenza à l'ossidazione.
5) Resistenza à l'abrasione.
6) Bona resistenza di scossa termale (per via di un bassu coefficient di espansione termale è di una alta conductività termale).
7) Forza eccellente à alta temperatura.
8) Bon cuntrollu dimensionale di forme cumplesse.
Prudutti resistenti à l'usura: piastra di carburu di siliciu, mattone di carburu di siliciu, rivestimentu di tubi, pipa Cone, ciclone, etc.
Mobili di u fornu: piastra, fasciu, rullu, ugello di bruciatore, fasciu tondo, fasciu quadratu, fasciu di foru. Crucible, Sagger, etc.
Altri: ugelli di desulfurazione
Applicazione di Carburo di Siliciu Bonded Reaction:
U carburu di siliciu ligatu à a reazione hè dimustratu per esse una scelta di materiale eccellente per l'applicazioni di usura cum'è i rivestimenti di tubi, ugelli, chokes di cuntrollu di flussu è cumpunenti di usura più grande in a minera è in altre industrie.
Parametru principale
| Pruprietà | Unità | SiSiC/RBSIC |
| densità apparente (SiC) | V01% | ≥85 |
| Densità di massa | g/cm3 | 3.01 |
| Porosità apparente | % | <0,1 |
| Modulu di rupture à 20 ℃ | Mpa | 250 |
| Modulu di rupture à 1200 ℃ | Mpa | 280 |
| Modulu d'elasticità à 20 ℃ | Gpa | 330 |
| Tenacità di frattura | Mpa*m1/2 | 3.3 |
| Conduttività termica à 1200 ℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Espansione termica à 1200 ℃ | a×10-6/℃ | 4.5 |
| Resistenza di scossa termica à 1200 ℃ | Assai bonu | |
| Coefficient di radiazione di calore | <0,9 | |
| Temperature max.working | ℃ | 1350 |
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